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刘小年 讲师

发布人:日期:2021-12-04浏览数:

个人简介

刘小年,男,1990.12生,湖南岳阳人。2013年7月毕业于复旦大学物理学系并获理学学士学位;2018年6月毕业于中国科星空官方网站(中国)股份有限公司上海微系统与信息技术研究所微电子学与固体电子学专业并获工学博士学位;2018年7月至2020年8月在Cadence公司DSG(数字签核部门)担任研发工程师(Senior Engineer)。主要从事半导体器件物理与器件模型、半导体器件与电路的辐射效应、集成电路EDA算法等方面的研究。

办公室:理星空官方网站(中国)股份有限公司313室

Email:xiaonian@hunnu.edu.cn


学术贡献

研究半导体器件与辐射效应、集成电路EDA算法等学术方向,主要包括:

1. 拓展PSP器件模型以描述总剂量辐射效应

2. 支持TSMC、Samsung等公司的纳米制程物理规则的EDA实现

3. 研究先进工艺节点的器件单粒子效应


教学情况

本科生教学:模拟电子技术、数字和模拟电子技术实验、电工学

研究生教学:学科前沿与进展


承担课题

1. 主持横向项目“基于40纳米工艺的单粒子效应仿真分析”

2. 参与国家自然科学基金面上项目“深海潜艇用荧光光纤测温系统极微弱信号探测机理与集成技术研究”


代表性论文

1. Xiaonian Liu, Yiran Xu, Xiangquan Fan, Mengxing Liao, Pingliang Li, Shichang Zou. A macro SPICE model for 2-bits/cell split-gate flash memory cell. Microelectronics Journal. 2017, 63: 75-80.

2. Xiaonian Liu, Lihua Dai, Bingxu Ning, Shichang Zou. Total-Ionizing-Dose-Induced Body Current Lowering in the 130 nm PDSOI I/O NMOSFETs. Chinese Physics Letters. 2017, 34: 016103-1-016103-4.

3. Xiaonian Liu, Lihua Dai, Pingliang Li, Shichang Zou. Electrical performance of 130 nm PD-SOI MOSFET with diamond layout. Microelectronics Journal. doi: 10.1016/j.mejo.2018.10.004.


获奖情况

1. 获“基于WIFI的单片机上位机软件”软件著作权一项

2. 2021年指导电子设计竞赛获湖南省二等奖

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